MRAM
.
![](http://185.58.65.36:9690/technologijos/b_discusion.jpg)
![](http://185.58.65.36:9690/technologijos/reitingas.png)
Japonijos ir Jungtinių Valstijų mokslininkų bendradarbiavimas gali baigti 20 metų trukusį DRAM tipo operatyvios atminties dominavimą. Daugiau nei dvidešimt puslaidininkių kompanijų apjungė savo intelektualinius ir gamybinius pajėgumus, kad būtų sukurta naujo tipo atmintis – MRAM. Tarp jos kūrėjų galima sutikti tokias kompanijas, kaip Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi ir Micron Technology.
![](http://185.58.65.36:9690/technologijos/b_discusion.jpg)
![](http://185.58.65.36:9690/technologijos/reitingas.png)
Mažesni, spartesni, pigesni. Štai taip skamba Silicio slėnyje nuolat kartojama progreso mantra. Tačiau pagrindinėms prietaisų sudedamosioms dalims artėjant prie atominio mastelio, gamintojams tampa vis sunkiau perprasti, kaip tiksliai veikia patys prietaisai. O tai būtina padaryti prieš pradedant pramoninę jų gamybą.
|
||